Etch poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.

2016.10.21 09:19

지오반니 조회 수:1319

아래 그림과 같이 SiN위에 poly 식각을 하려 합니다.

poly 주변에는 산화막이 형성되어있는 상태입니다.

바닥 poly의 damage는 줄이면서 상단 poly만 제거하고 싶은데

효과적인 방법이 있을까요? 조언 부탁드립니다.


이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75020
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18861
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56340
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66847
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88314
57 DC Bias Vs Self bias [5] 31017
56 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23891
55 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23460
54 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22428
53 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22423
52 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20297
51 ICP 식각에 대하여... 16773
50 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 16283
49 ICP와 CCP의 차이 [3] 11695
48 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9274
47 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5589
46 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5143
45 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4686
44 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 4661
43 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4313
42 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3823
41 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3786
40 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3148
39 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2667
38 PR wafer seasoning [1] 2558
쓰기
태그

Boards

XE Login