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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68068
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64 DC Bias Vs Self bias [5] update 31325
63 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 update 24054
62 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] new 23612
61 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] update 22626
60 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] update 22483
59 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 update 20366
58 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] new 17036
57 ICP 식각에 대하여... update 16853
56 ICP와 CCP의 차이 [3] new 12233
55 에칭후 particle에서 발생하는 현상 update 9404
54 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] new 5986
53 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] new 5680
52 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] new 5307
51 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] newfile 5290
50 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] new 4769
49 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] new 4100
48 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] new 3886
47 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] new 3379
46 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? new 2778
45 Plasma etcher particle 원인 [1] new 2756
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