안녕하세요 PLASMA 에 관심이 많은 초보직장인 ? 입니다.


짧은 생각이지만 Plasma Source 로 작용하는 Ar Gas 량이 많아지면 Depo Rate 이 높아진다고 생각됩니다.

그러나 일부 실험에서 Ar Gas 량의 증가가 Depo Rate 하향을 경험하였습니다.


이런것을 어떻게 설명할 수 있는지 많은 분들의 도움 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75425
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19161
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56479
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67555
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89363
34 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 143
33 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 264
32 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 427
31 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 608
30 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 625
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 930
28 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1185
27 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1274
26 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1306
25 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1400
24 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1432
23 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1449
22 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1682
21 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2007
20 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 2671
19 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2698
18 플라즈마 색 관찰 [1] 3825
17 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3897
16 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6383
15 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 7867

Boards


XE Login