Deposition SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문
2022.02.17 17:53
안녕하세요.
CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.
다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.
제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..
1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가
2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가
항상 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75022 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18864 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56341 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66856 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88326 |
34 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 | 16 |
33 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 125 |
32 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 413 |
31 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 556 |
30 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 582 |
29 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 815 |
28 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1125 |
27 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1174 |
26 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1177 |
25 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1241 |
24 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1296 |
23 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1307 |
22 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1592 |
21 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 1836 |
20 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 2320 |
19 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2571 |
18 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 3603 |
» | SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] | 3762 |
16 | 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] | 6319 |
15 | 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] | 7738 |