Deposition PECVD 증착에서 etching 관계
2019.03.20 09:00
안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.
다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로
많은 고뇌를 하고 있습니다.
SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.
원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.
(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)
쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,
혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.
이상입니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [233] | 75736 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19419 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56648 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67966 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90148 |
| 35 | PECVD Uniformity [1] | 136 |
| 34 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 178 |
| 33 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 299 |
| 32 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 435 |
| 31 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 621 |
| 30 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 649 |
| 29 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 983 |
| 28 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1221 |
| » | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1326 |
| 26 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1338 |
| 25 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1507 |
| 24 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1532 |
| 23 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1544 |
| 22 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1720 |
| 21 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2089 |
| 20 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2746 |
| 19 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 2810 |
| 18 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 3938 |
| 17 | SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] | 3966 |
| 16 | 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] | 6423 |