안녕하세요. 플라즈마응용연구실 관라자입니다.

 

금일부터 QnA 글을 작성하기 위해 등업제도를 일부 이용합니다.

 

해당 공지 게시글에 가입 인사를 적어주시면 QnA 글을 쓸 수 있는 권한을 받게 됩니다.

(*별도의 권한 처리 없이 댓글 등록시 바로 QnA 작성이 가능해집니다.)

 

글 작성 전에 반드시 댓글을 남겨주시고 QnA 글을 작성해주시기 바랍니다.

 

감사합니다.

 

** 기존에 글을 작성하셨던 분들도 권한 처리가 필요하므로 간단하게라도 댓글 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
» [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 109327
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 26972
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 64094
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 75861
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 109765
37 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 524
36 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 578
35 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 584
34 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 779
33 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 911
32 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 1060
31 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 1062
30 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1400
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1643
28 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1668
27 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1819
26 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2202
25 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2299
24 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2352
23 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2401
22 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2854
21 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2983
20 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3276
19 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4455
18 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4649

Boards


XE Login