Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:3188

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
36 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 154
35 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 222
34 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
33 PECVD Uniformity [1] 466
32 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 469
31 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692
30 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 725
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1078
28 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1286
27 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
26 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1471
25 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1637
24 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1696
23 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1782
22 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1827
21 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2243
20 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2879
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3188
18 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4121
17 플라즈마 색 관찰 [1] 4191

Boards


XE Login