안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

Forword Power [%]

Reflect Power [W]

Bias(Vpp) Power

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
23 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 82
22 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 39
21 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 238
20 RF Sputtering Target Issue [2] file 569
19 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1351
18 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
17 Ar plasma power/time [1] 1428
16 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3761
15 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10280
14 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15789
» [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29234
12 Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. 20194
11 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20885
10 몇가지 질문있습니다 16577
9 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24850
8 DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 19710
7 sputter 16840
6 Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요? 18022
5 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 17707
4 sputtering 18282

Boards


XE Login