Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.

2019.04.11 13:18

PJH 조회 수:1156

안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92277
23 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 112
22 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 58
21 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 250
20 RF Sputtering Target Issue [2] file 597
19 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1385
18 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2314
17 Ar plasma power/time [1] 1437
16 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3804
15 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10298
14 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15803
13 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29262
12 Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. 20204
11 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20905
10 몇가지 질문있습니다 16578
9 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24874
8 DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 19712
7 sputter 16845
6 Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요? 18038
5 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 17778
4 sputtering 18291

Boards


XE Login