Others 플라즈마 처리

2004.06.19 17:12

관리자 조회 수:16925 추천:266

플라즈마 처리는 bulk의 변화를 목적으로 하기 보다는 물질의 표면처리를 위해서 사용되고 있습니다. 이 말은 보다 정확하게 표현하면 플라즈마 상태를 이용하여 처리하고자 하는 개스 입자들의 활성에너지를 얻고자 하는 의도입니다. (자세한 내용은 본한 속에 플라즈마의 기본 역할에 대한 소개를 참고하기 바랍니다.) 여기서 플라즈마의 이온과 전자, 특히 전자로 부터 처리에 필요한 첨가개스들의 radical을 만들거나 개스 입자와 물질 표면 입자들 간의 활성에너지를 높여서 잘 반응하도록 하는 역할을 합니다. (하지만 이는 프라즈마 연구의 일부로써 plasma chemistry라 하는 분야로 구분되기도 합니다.) 이렇게 표면에 개스 입자나 분자들이 착상을 유발하여 대상 물체의 표면을 처리하게 됩니다. 여기서 이 때 유입되는 이온은 서로의 반응을 활발하게 하는 활성에너지 원이 되기도 하고 플라즈마의 쉬스에서 전하교환을 한 중성 입자는 그 자체가 높은 에너지를 갖고 유입됨으로 표면과 잘 반응하기도 합니다. 표면에서 쌓인 입자들은 물질 표면 속으로 확산되어 들어가거나 일정 깊이나 표면에 잔류하게 됩니다. (방분자의 예상대로 수십 마이크론의 깊이의 처리도 가능합니다.) 물론 확산에는 줌ㅁ변 온도가 매우 중요한 역활을 하게 되며 표면의 입자들도 에너지를 받으면 이리저리 움직여서 좋은 막을 형성하기도 합니다. 결국 이들 반응의 대부분은 표면에서 이뤄지며 물체의 bulk부분에는 거의 영향을 미치지는 않습니다. 표면에 인가된 이온과 전자가 공급하는 국부에너지는 열확산에 의해서 bulk속으로 전달되지만 그 크기는 물성을 바꿀 정도로 크기 않은 것이 알반적이나 이 대 전자와 이온의 입사로 인해 흐르는 전류가 만드는 ohmic heating이 물체 전체의 온도를 높이는 큰 에너지 원으로 작용할 수는 있습니다. 따라서 이 조절을 위해서 뒷면 냉각을 하곤 합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
37 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
36 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 192
35 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
34 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
33 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
32 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
31 ICP 후 변색 질문 722
30 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 856
29 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1074
28 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159
27 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
26 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3043
25 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3857
24 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6046
23 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6361
22 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
21 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695
20 고온 플라즈마 관련 8090
19 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9259
18 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11293

Boards


XE Login