Others RPC CLEAN 시 THD 발생
2018.10.25 14:48
안녕하세요 반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.
현재 저희 설비에 2개의 CHAMBER가 달려 있습니다. RPC CLEAN을 사용하는 장비인데
두 CH가 동시에 CLEAN이 동작하게되면 공급단 POWER 관련하여 지속적인 ERROR 가 발생을 합니다.(따로 진행시 문제 없음)
고조파 측정시 2개의 CH가 동시에 CLEAN 진행시 높아지는 현상을 발견 하였으나, 그 원인을 찾기 힘들어 질문 드립니다.
POWER CABLING이 의심 되는 상황이나, CABLE 길이 및 위치, 혹은 말림 정도가 영향이 있는지 문의 드리고, 혹시 이 외에 다른 원인을 추측할만한 내용이 있을지 질문 드립니다.
현재 CABLE 연결 상태 및 POWER SUPPLY(설비단) 교체 등 다른 방법을 진행 해 보았으나, 현상이 동일하게 발생하여 설비단 보다는 공급단쪽 POWER를 의심하고 있는 상태 입니다.
혹시 이 글과 관련된 경험이 있으신분은 답변 부탁 드리겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75020 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18861 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56340 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66845 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88307 |
» | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 543 |
23 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 559 |
22 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 569 |
21 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 684 |
20 | 고진공 만드는방법. [1] | 899 |
19 | Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] | 1874 |
18 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 9543 |
17 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12743 |
16 | Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. | 17178 |
15 | Faraday shielding & Screening effect | 18257 |
14 | 최적의 펌프는? | 18464 |
13 | CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 | 19239 |
12 | MFC | 19245 |
11 | 석영이 사용되는 이유? [1] | 19781 |
10 |
CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마...
[1] ![]() | 20174 |
9 |
전자파 누설에 관해서 질문드립니다.
[1] ![]() | 20980 |
8 | Peak RF Voltage의 의미 | 22343 |
7 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 24215 |
6 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24644 |
5 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25485 |