안녕하세요.

현재, 플라즈마 장비를 이용하여 표면구조 처리를 하고자 하는 대학원생 조원희입니다.

 

다름이 아니라, 플라즈마를 주로 전공하는 과 가 아니기 때문에, 현재 연구실에 있는 플라즈마 샘플 위치에 헷갈림이 좀 있습니다.

오래전 저희 연구실에서는 O2와 Ar을 이용하여, 표면을 친수성으로 만들거나 고분자에 Ar/O2를 혼합하여 etching을 하였었는데, 경험 하신분들이 다 졸업을 하시는 바람에, 여기에 도움을 청하게 됐습니다. 

제가 궁금한 점은,

 

1. O2만을 이용하여 표면을 친수성으로 만들때의 표면 위치와

2. Ar을 이용하여 etching을 할때의 표면 위치가 

 

두 경우에 다른지가 궁금합니다.

 

타겟으로 하는 표면을 각각의 경우에, 챔버 내부의 RF Power와 Matching box가 연결되어 있는 부분에 두어야 하는지, 그 반대에 두어야 하는지 혹시 도와주실 분이 계신가요..?

 

참고로 샘플은 PDMS (고분자) 입니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
163 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 222
162 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
161 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1289
160 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 262
159 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
158 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
156 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 964
155 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 353
154 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28680
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 725
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
150 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 950
149 RF Sputtering Target Issue [2] file 569
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1782
147 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 535
146 Polymer Temp Etch [1] 634
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
» 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598

Boards


XE Login