안녕하세요.

현재, 플라즈마 장비를 이용하여 표면구조 처리를 하고자 하는 대학원생 조원희입니다.

 

다름이 아니라, 플라즈마를 주로 전공하는 과 가 아니기 때문에, 현재 연구실에 있는 플라즈마 샘플 위치에 헷갈림이 좀 있습니다.

오래전 저희 연구실에서는 O2와 Ar을 이용하여, 표면을 친수성으로 만들거나 고분자에 Ar/O2를 혼합하여 etching을 하였었는데, 경험 하신분들이 다 졸업을 하시는 바람에, 여기에 도움을 청하게 됐습니다. 

제가 궁금한 점은,

 

1. O2만을 이용하여 표면을 친수성으로 만들때의 표면 위치와

2. Ar을 이용하여 etching을 할때의 표면 위치가 

 

두 경우에 다른지가 궁금합니다.

 

타겟으로 하는 표면을 각각의 경우에, 챔버 내부의 RF Power와 Matching box가 연결되어 있는 부분에 두어야 하는지, 그 반대에 두어야 하는지 혹시 도와주실 분이 계신가요..?

 

참고로 샘플은 PDMS (고분자) 입니다. 

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