안녕하세요

디스플레이 업계에서 OLED 및 Organic 담당 연구중인 직장인입니다.

물질 증착 전후로 Plasma를 활용한 표면 처리를 하게되는 경우가 있어, 몇가지 질문드립니다.

 

Ar/O2 Plasma

큰 에너지를 가진 무거운 이온이 대상의 표면에 충돌해 Sputtering 효과로 미세 마모를 일으켜 오염 물질 제거와 증발이 발생되고

plasma로 이온화된 산소들이 표면 물질과 반응해 세정 효과를 나타낸다

 

위와 같이 알고 있는데, Ar/O2 Plasma를 유기물이나 무기물 혼합물에 적용시킬 경우에

현재는 물질에 Plasma 공정을 적용시킨 Device를 만들어 전기적 특성으로 확인하고 있는데,

Plasma로 인해 물질의 기존 특성이 파괴되는건지, 표면만 세정되어 개질이 일어나 특성이 바뀌는지

원리 분석이 필요해보여 이를 어떤 방법으로 알아봐야하는지 알려주시면 감사하겠습니다. 

 

그리고, O2 Ashing 처리도 표면개질을 위해 진행하는 경우가 있는데,

O2 Ashing과 Ar/O2 Plasma는 장비에 따라 VUV(Vacuum-UV) 발생으로 Organic bonds(유기 결합) 분해를 일으킨다

이외에 어떤 차이가 있나요?

 

마지막으로 Plasma와는 별개인데,

UV-O3 treatment 방식으로 표면개질을 진행할 경우에는 물리적 충돌을 제외한 UV로 인해

발생된 O3로 유기 결합 분해만 일어난다고 이해하면 될까요?

 

부족한 지식으로 질문이 다소 난해해 죄송합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77616
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20657
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57601
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69092
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93293
170 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 361
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 332
168 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 743
167 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 275
» Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 649
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 442
164 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 208
163 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 262
162 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 701
161 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1652
160 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 328
159 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 401
158 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 443
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 664
156 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1173
155 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 391
154 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 648
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 29020
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 770
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2369

Boards


XE Login