SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.

NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,

그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.

학자님들의 고견 부탁 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
122 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 878
121 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2229
120 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1365
119 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1072
118 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
117 질문있습니다 교수님 [1] 22003
116 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1697
115 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6388
114 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3625
113 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
112 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 536
111 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1879
110 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3189
109 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159
108 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2851
107 PEALD관련 질문 [1] 32600
106 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1063
105 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692
104 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1946
103 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1471

Boards


XE Login