Others N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다.

2016.05.05 09:33

짱구 조회 수:11292

안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어입니다.


N2, Ar Plasma 를 사용하여 미세 Pattern Pad 표면 세정을 하려고 합니다.


세정물 오염원은 C, Si 등을 포함한 성분인데요.


N2 와 Ar 중 어떤게 더 효과적일지 궁금합니다. ( 사용 원소에 따른 플라즈마 처리 세기의 차이가 있을거 같은데.. )


자료를 찾다보니 아래와 같이 기술된 것도 있던데 맞나요??

- 사용 기체로 산소 및 질소를 사용하였을 경우 아르곤을 사용한 플라즈마 처리 시 보다 에칭 효과 우수

- 산소 사용 시 질소 사용보다 표면 에칭 효과 우수

※ 표면 에칭: 아르곤 < 질소 < 산소


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
102 터보펌프 에러관련 [1] 1737
101 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1351
100 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
99 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1287
98 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 469
97 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1637
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
95 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
94 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 835
93 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
92 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5419
91 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
90 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2243
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
88 플라즈마 색 관찰 [1] 4191
87 PR wafer seasoning [1] 2694
86 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1770
85 ICP 후 변색 질문 722
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
83 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423

Boards


XE Login