Others H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다.

2010.11.29 12:11

김준영 조회 수:19414 추천:56

안녕하세요
제가 ICP 장비에서 플라즈마를 이용한 표면 처리 실험을 하고 있습니다.
챔버내에 O2와 H2 가스를 혼합하여 플라즈마를 띄웠습니다.
공정 압력은 10-3 torr 정도 이고 가스유량은 산소 10 : 수소 50 ~ 산소 50 : 수소 50 sccm 입니다.
궁금한거는 산소와 수소가 만나면 폭발을 할 위험이 있는데요 안전한건지 궁금합니다.
안전하다면 왜 안전 한건지 이유도 같이 알려 주시면 감사 하겠습니다.
그리고 H2/O2 비율과 압력대 관련 가용영역 이러한 자료는 어디에서 구할수가 있을가요??
인터넷으로 검색을 한다면 무슨 제목으로 검색을 해야 할가요? 현재 한참 검색을 해보았는데 아직 관련 자료응 얻지 못하였습니다.

그리고 만일 안전 하다면... 혹시 고진공 수소와 산소 혼합가스로 플라즈마를 생성하는 과정에서 챔버내에 불꽃이나 스파크가 일어 난다면 그때는 폭발의 위험성이 큰거 겠죠??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57151
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68673
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92186
82 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 694
81 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5821
80 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2310
79 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
78 ICP와 CCP의 차이 [3] 12472
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1840
76 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2626
75 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3514
74 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6399
73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8589
72 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6235
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 635
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1407
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5254
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6066
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3890
66 Ar plasma power/time [1] 1435
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17427
64 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11385
63 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3051

Boards


XE Login