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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응]
[1] | 2642 |
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[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 2762 |
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PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2765 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌]
[1] | 3041 |
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Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전]
[3] | 3147 |
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Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3189 |
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Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
[1] | 3214 |
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M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown]
[1] | 3290 |
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
[1] | 3307 |
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
[1] | 3614 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 3776 |
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ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF]
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DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering]
[2] | 3957 |
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Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리]
[1] | 4064 |
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SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율]
[1] | 4266 |
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플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 4267 |
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HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue]
[1] | 4288 |
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Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]
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