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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
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M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown]
[1] | 3334 |
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Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3268 |
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Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
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Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전]
[3] | 3180 |
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HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌]
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
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[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 2811 |
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PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2797 |
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산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응]
[1] | 2679 |
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플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy]
[1] | 2579 |
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DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
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Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2534 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 2508 |
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Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
[1] | 2498 |
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sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux]
[1] | 2490 |
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etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 2444 |
