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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리]
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etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution]
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자]
[1] | 1313 |
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Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp]
[2] | 1272 |
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O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
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RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias]
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안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
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sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias]
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center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge]
[1] | 1075 |
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RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응]
[1] | 973 |
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Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지]
[1] | 903 |
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remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화]
[1] | 855 |
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[재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술]
[1] | 795 |
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ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체]
[1] | 791 |
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Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)]
[1] | 757 |
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플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE]
[1] | 716 |
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AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제
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GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문
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center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2
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애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing]
[1] | 496 |
