안녕하세요.

PECVD로 탄소 박막을 합성하고, 표면을 Oxide 시키기 위해 plasma asher로 200W/30 min 동안

처리하였는데 반응이 없어 다른 방법을 모색중입니다.

그래서 스퍼터로 가능할까 싶어서 궁금증을 여기에 풀어 봅니다.

보통 O2/N2는 반응성 스퍼터링에 사용되는 것으로 알고 있습니다.

혹시나, (1) Ar 대신 O2 or N2만 주입해도 플라즈마가 형성이 가능한가요?

그리고 (2) 타겟없이도 플라즈마가 뜨는가요?

이 두 부분이 궁금합니다.

생뚱맞는 질문일수도 있지만,

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
23 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 83
22 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 39
21 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 238
20 RF Sputtering Target Issue [2] file 573
» 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1352
18 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2295
17 Ar plasma power/time [1] 1429
16 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3764
15 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10280
14 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15790
13 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29237
12 Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. 20194
11 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20886
10 몇가지 질문있습니다 16577
9 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24850
8 DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 19710
7 sputter 16840
6 Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요? 18023
5 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 17708
4 sputtering 18282

Boards


XE Login