안녕하세요. 저는 반도체 회사에 설비 엔지니어로 일하고 있습니다.

기계공학 열전달 주전공으로 석사를 졸업했는데 설비의 플라즈마와 전자공학 지식에 전혀 없어 고견 부탁드립니다..

PLASMA MATCHING에 관해 궁금한 점이 있습니다.

일단 기본적으로 임피던스의 허수부 즉 리액턴스를 0로 가져갈 수 있도록 하는 것으로 알고 있었는데,

여기 글들을 보면서 뿐만 아니라 전원의 13.56MHZ 50옴과 맞게 뒤에 챔버 부분을 50옴으로 저항까지 맞춰주는 것으로 알게 되었내요..

1. LOAD의 경우 리액턴스와 레지스턴스 동시에 작용하나, 레지스턴스 영향력이 강해 실수부 저항을 매칭해주는 것으로 설명을 보았어요

궁금한 점이 실제 MACHING TREND를 보면 LOAD / TUNE 포지션이 반대 방향으로 움직이며 동일 방향으로 움직이는 경우를 못봤습니다.

이는 LOAD 캐패시터와 TUNE 캐패시터가 임피던스 계산 시 반대? (TUNE이 역수로 작용) TUNE이 상승하면 반대로 LOAD는 내려가야

리액턴스가 0이 된다고 생각했는데... 1. 실수(레지스턴스)에 어떻게 LOAD가 작용하는 것인지가 궁금합니다.

1) CH 임피던스가 50보다 낮을때... 2) 50보다 높을 때 어떻게 LOAD가 이 저항값을 맞추는지 궁금해요..

또한, 이상 TREND 관찰 시 순간적으로 LOAD TUNE이 같은 방향으로 움직이는 것을 보았는데, 이 경우 MATCHING 알고리즘 상 순간적으로

MATCHING 못하고 발산?한 것인지 궁금합니다.


답변 주시면 정말 감사하겠습니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68688
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92256
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10377
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2450
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 888
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3743
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 484
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2257
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1787
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3692
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11446
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1375
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2386
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 433
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1086
» Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3188
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6434
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1241
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2377
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1902
529 질문있습니다 교수님 [1] 22112

Boards


XE Login