공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[266]
| 76677 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20152 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57151 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 68672 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 92182 |
82 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 3158 |
81 |
PECVD Precursor 별 Arcing 원인
[1] | 3259 |
80 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3514 |
79 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다.
[2] | 3641 |
78 |
DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문
[2] | 3793 |
77 |
HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다.
[1] | 3890 |
76 |
Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3963 |
75 |
SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문
[1] | 4138 |
74 |
플라즈마 색 관찰
[1] | 4242 |
73 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4263 |
72 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5250 |
71 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5449 |
70 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5818 |
69 |
모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
| 6066 |
68 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 6235 |
67 |
O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154
[1] | 6398 |
66 |
플라즈마 데미지에 관하여..
[1] | 6491 |
65 |
안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 6539 |
64 |
안녕하세요, 질문드립니다.
[2] | 6569 |
63 |
플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다.
[1] | 7702 |