Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
2010.01.20 17:55
안녕하세요.
N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.
10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.
그 이유를 자세히 알고 싶은데요.
빠른 답변좀 부탁 드릴께요.
예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로
생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.
감사합니다.
댓글 2
-
김곤호
2010.01.20 05:26
- 공감합니다. 온도 변화가 큰 요인 중에 하나가 되겠네요. 플라즈마 입자 및 UV 조사에 의한 경화는 일반적인 현상이 되겠습니다. 혹시 cooling 시키면 어떨까요? -
monomer 물질이 어떤 것인지 정확히는 모르나,
N2 플라즈마에 의해 박막 표면이 노출이 되면 일정 두께에 막질이 경화되는 현상이 있습니다.
이러한 경화현상으로 시간이 지남에 따라 식각률이 떨어지는 경향을 시간에 따라 확인하실 수 있습니다.
경화현상 자체를 확인하시고 싶으시면, 막의 수직 단면을 절단해보시면 확인히 차이가 난 막질을 볼 수 있습니다. 이를 억제하고 식각률을 유지하기 위해서는 근본적으로 표면 막질의 식각률을 향상시킬 수 있는
공정 recipe의 개선이 필요하고, (식각 장치가 어떤 것인지는 모르겠습니다만) 근본적으로 식각률을
향상시켜 최적 요구조건 수준 이상을 만족시킬 수 있도록 개선하는 것이 좋을 것 같습니다.
앞서의 cooling도 해보시고, He나 기타 열용량이 큰 가스들을 첨가함으로써 식각률 이득 뿐만 아니라,
chamber 구조상의 열손실을 확보할 수 있는 배기 구성 등을 시도해보시는 것도 좋을 것 같습니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] | 5808 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17215 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 53063 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 64484 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 85099 |
| 51 | DC Bias Vs Self bias [5] | 30719 |
| 50 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 23791 |
| » | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23330 |
| 48 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22359 |
| 47 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22255 |
| 46 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20256 |
| 45 | ICP 식각에 대하여... | 16697 |
| 44 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 15393 |
| 43 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 11231 |
| 42 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9195 |
| 41 | RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] | 5332 |
| 40 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 4999 |
| 39 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1]  | 4234 |
| 38 | SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] | 3947 |
| 37 | 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] | 3908 |
| 36 | Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] | 3608 |
| 35 | Plasma 식각 test 관련 문의 [1] | 3545 |
| 34 | Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] | 2956 |
| 33 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2536 |
| 32 | PR wafer seasoning [1] | 2478 |