질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:96564 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [318] 83185
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22058
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58821
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70477
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96564
29 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23343
28 CCP/ICP , E/H mode 23293
27 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) [ICP와 CCP의 heating] 23208
26 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 19904
25 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [RF 방전과 이온 에너지] [1] 18955
24 capacitively/inductively coupled plasma [Heating mechanism과 coolant] 17870
23 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전력 인가와 플라즈마 밀도] [2] 16797
22 CCP의 electrod 재질 혼동 [PECVD와 화학물 코팅] 16576
21 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [유전체 격벽 방전] [1] 7777
20 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp] [1] file 6366
19 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 3809
18 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2494
17 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1743
16 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 1713
15 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [ESC와 Chamber impedance] [1] 1574
14 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [Self bias와 dummy 공정] [1] 1211
13 CCP Plasma 해석 관련 문의 [Diffusion] [1] file 1193
12 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1183
11 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1177
10 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [TC gauge 동작 원리] [1] 1007

Boards


XE Login