교수님 안녕하세요, 플라즈마 관련 공부를 하고 있는 취업준비생입니다.

ICP 장비를 공부하다가 궁금한점이 생겨서 질문 올립니다.

1. ICP장비는 소스파워로 이온 밀도를 조절하고, 바이어스 파어로 이온 에너지를 조절한다고 하는데, 소스파워는 이해가 가는데

바이어스 파워로 이온 에너지를 조절한다는 메커니즘이 이해가 안갑니다. 블로킹 커패시터를 달아서 한다고 하는데, 이해가 안가네요..


2. capacitive coupling이라는 현상으로 인해 벽이 스퍼터 되는 문제점이 발생한다고 하는데, 이 벽이 스퍼터 된다는게

플라즈마가 균일하지 않게 된다는 말일까요?


3. 이 질문은 PE CVD 관련 질문인데요, PECVD를 진행할 때 전극 면적비를 같게 하는 이유가 라디칼을 이용한 증착 방법이기 때문에

   이온의 영향을 줄이기 위함이다. 이렇게 생각했는데, 제 생각의 논리가 맞을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [295] 77443
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20549
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57476
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69002
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93063
32 micro arc에 대해 질문드립니다. [1] 58
31 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 64
30 skin depth에 대한 이해 [1] 253
29 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 314
28 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 240
27 ICP에서 전자의 가속 [1] 210
26 ICP lower power 와 RF bias [1] 1544
25 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1190
24 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 871
23 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 740
22 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2437
21 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1697
20 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1448
19 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1565
» 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2389
17 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2513
16 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3926
15 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1675
14 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2455
13 공정플라즈마 [1] 1181

Boards


XE Login