안녕하세요. PECVD 공정 엔지니어로서 RPSC의 Cleaning 거동을 이해하고자 질문드립니다.

 

우선 CCP 형태 Chamber에서 Chamber 내 NF3가 공급되어 SiNx가 식각되는 Cleaning 공정을 가정하겠습니다.

Chamber Throttle Valve Position이 고정되고 Pump는 100% 성능으로 작동할 때, NF3를 공급하면 Pressure 곡선은 아래와 같습니다.

Chamber 내에선 SiNx와 NF3가 반응하여 SiF4가 생성됩니다.

제목 없음.png

Throttle Valve, Pump 상태는 동일하므로 배기되는 Output Volume Flowrate는 항상 같다고 가정했습니다.

Chamber 내 압력이 변동하되 Chamber Volume은 일정하므로, Chamber 내 Density는 Pressure에 비례할 것입니다. 즉, Fluid Density는 상기 곡선 상황에서 변동하는 Parameter입니다.

 

이때, 궁금한 것은 Residence Time 추이가 어떻게 변할지 입니다.

Residence Time은 Chamnber 내 Fluid가 평균적으로 얼마나 오래 머무르고 가는지 의미합니다.

 

추론① 배기되는 Output Volume Flowrate, Chamber Volume이 일정하므로 Residence Time은 항상 동일하다.

 

추론② Input Volume Flowrate가 증가하더라도, 추론①대로 Residence Time은 항상 일정하다. → 이 경우, Input Volume Flowrate가 증가했음에도 Residence Time이 동일한 건 직관적으로 이상하지만, Density(혹은 Pressure)가 증가하므로 적절한 추론일 것이다.

 

추론③ Chamber 내 Fluid Density와 Throttle Valve를 통해 배기되는 Fluid Density는 동일하다.

 

상시 세 가지 추론이 적절한지 궁금합니다. 물론 정밀한 수준으로 정확한지를 따지기보단, 큰 개념으로 공정을 바라볼 때 위의 추론처럼 이해하는 것이 적절한지가 궁금합니다.

 

항상 질문에 친절하게 답해주셔서 감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
162 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
161 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1293
160 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 263
159 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
158 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
156 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 967
155 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 353
154 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28681
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 726
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
150 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 955
149 RF Sputtering Target Issue [2] file 573
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1786
» Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 536
146 Polymer Temp Etch [1] 635
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 456
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
143 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1027

Boards


XE Login