기초적인 질문이지만 답변 해주시면 정말 감사하겠습니다. 

 

1. 챔버 시즈닝을 SiO2로 했을때, 플라즈마를 인가하면 플라즈마의 영향으로 챔버시즈닝이 각 O2-와 Si4+로 분해가 일어날수있나요? 

 일어난다면 흔한일일까요 ?? 

 

2. 1번과 같은 관점에서 플라즈마 gas를 각각 N2 , H2 로 인가한다면, 제가 생각하기에는 수소원자가 질량이 낮으니 O를 떼어 낼 만한 힘이 없어서 N2 는 1과같은 일이 발생할수 있을거 같고, H2는 힘들것 같은데 어떤것이 맞는지 궁금합니다 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20149
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57150
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68672
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92181
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 607
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 314
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 999
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 582
703 self bias [1] 525
702 Self bias 내용 질문입니다. [1] 798
701 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 696
» 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 612
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1162
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 363
697 ICP lower power 와 RF bias [1] 1428
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 571
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 170
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 863
693 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 605
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 607
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28711
690 plasma modeling 관련 질문 [1] 386
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 711
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 732

Boards


XE Login