Deposition [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속]

2019.01.23 13:10

반형진 조회 수:1451

 

 

안녕하세요.

CVD공정쪽에서 일하고 있는 엔지니어 반형진입니다.

a-Si 증착 시 Vdc값이 증착된 막 내의 수소량에 어떻게

영향을 미치는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다.  

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 82537
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21947
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58730
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70356
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96234
37 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 241
36 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 300
35 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 316
34 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 523
33 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [대면 재료의 전기적 특성와 플라즈마 쉬스의 변화] [3] 565
32 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 807
31 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 823
30 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 863
29 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1322
» [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1451
27 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1576
26 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 1793
25 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1862
24 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 1973
23 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2047
22 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2218
21 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2588
20 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3078
19 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 3677
18 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4309
쓰기
태그

Boards

XE Login