안녕하세요.

CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.

다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.

제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..

 1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가

 2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가

항상 감사합니다.