안녕하세요 저는 반도체 제조업체에 얼마전에 신입으로 들어와  Dry Etching 설비를 당담하고 있습니다.
아직 모르는것이 많아 어디에 물어봐야할지 몰라 이렇게 글 남깄니다.

다름이 아니라 최근 설비에 Arcing 으로인한 제품 Damage 및 Chamber 내부에 아노다이징 처리된 Part 가 절연막이 파괴되고있는데 Acring 이 생기는 원인은 정확하게 모겠네요...
1.Chamber 내부 Cathode 와 Wall 사이에 저항치가 나오면 안돼는 것으로 알고 있는데 3메가옴 또는 다른 Chamber 는 200메가옴 정도 나오는것도 있고 Arcing 이 발생되지 않은 Chamber 에서도 나오고 있어 정확히 Cathode 와 Wall 사이에 저항이 얼마가 나오면 정상인가요??

2. Chamber 내부 Process Kit 에 DC-Pulg 라고 석연으로 만든 Part 가 Acr 방지용으로 넣었다는데 정확한 용도와 원리 좀 부탁합니다.