안녕하십니까? 반도체 제조업에 종사하는 엔지니어입니다.

플라즈마 기초 토픽들을 공부하던 중 이해가 안가는 부분이 있어서 이렇게 문의드립니다.

플라즈마에 isolated (floating) substrate 를 넣었을 때, 전자와 이온이 각각 nv/4 의 flux 로

입사하고, 속도가 더 빠른 전자가 먼저 기판을 charging 시켜서 sheath 형성의 발판을

마련한다고 여러 책들에 소개되고 있는데요,

전자나 이온이 왜 기판에 capture 가 될까요? 초기에 기판은 중성이 아닌가요?

그냥 튕겨나가지 않고 왜 기판을 charging 시키는 지 이해가 되지를 않습니다. 이것을 설명할

수 있는 화학적, 혹은 전기적인 해석이 가능할까요?

답변 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 82074
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21866
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58649
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70269
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95982
35 Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] 36455
34 sheath와 debye sheilding에 관하여 [전자와 이온의 흐름] 28115
33 self bias (rf 전압 강하) 26914
32 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24252
31 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24086
30 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24063
» floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential] [2] 22941
28 CCP에서 Area effect(면적)? [Self bias와 sheath capacitance] 21506
27 RF plasma에 대해서 질문드립니다. [Sheath model, Ion current density] [2] 21108
26 이온주입량에 대한 문의 20800
25 self bias [Capacitor와 mobility] [1] 19623
24 ICP에 대하여 [DC glow 방전과 ICP 플라즈마 발생] 18263
23 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc)+Vp(plasma potential)관련 질문입니다. [플라즈마 전위와 쉬스] [1] 12947
22 DC bias (Self bias) ["Glow discharge processes"] [3] 11545
21 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [Self bias와 matcher] [1] 9623
20 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [RF& DC bias와 matcher의 접지] [1] 9149
19 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [쉬스와 Bulk Plasma 영역] [1] 9034
18 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5062
17 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model] [2] 3779
16 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3479

Boards


XE Login