공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[265]
| 76543 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20078 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57116 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 68615 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 91697 |
67 |
DC Bias Vs Self bias
[5] | 31493 |
66 |
Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
| 24159 |
65 |
N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
[2] | 23720 |
64 |
Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계
[1] | 22748 |
63 |
Dry Etcher 에 대한 교재
[1] | 22534 |
62 |
RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도
| 20412 |
61 |
안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
[1] | 17334 |
60 |
ICP 식각에 대하여...
| 16904 |
59 |
ICP와 CCP의 차이
[3] | 12435 |
58 |
에칭후 particle에서 발생하는 현상
| 9497 |
57 |
안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 6392 |
56 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 6201 |
55 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5735 |
54 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5423 |
53 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5185 |
52 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4244 |
51 |
Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3950 |
50 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3491 |
49 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 2933 |
48 |
Plasma etcher particle 원인
[1] | 2924 |