저는 모 반도체 기업 CVD 공정 종사자 입니다.

본 질문에 앞서 Deposition Step 에서 Run 자재와 Dummy 자재의 He leak 편차가 상당하여 

변수로 작용할 수 있는 부분들이 궁금해서 질문을 드립니다.

1. 현상

- 특정장비 (A장비라 칭하겠습니다..) 에서 2개월 간 Run 자재 상 Back Side Cooling Helium 유량 및 Back Side Helium leak 은 변곡이 없습니다

- A장비에서 동일기간 Dummy 자재의 Back Side Cooling Helium 및 He Leak 확인 時 특정 시점으로부터 변곡이 발생했습니다.

** Run 자재와 Dummy 자재 간 Back Side Helium 이 관여한 Parameter 의 변곡이 동일 Model 인 타 장비에 비해 월등히 두드러집니다.

2. 현상 발생 조건

- Run Wafer 와 Dummy Wafer 각 동일한 값의 Wafer Temp / Chuck Power / Plasma / Back Side Pressure 셋팅 時

  Run 대비 Dummy자재에서 Back side Helium 유량 과 He leak 이 높음이 확인됩니다.

3. 현상에 대한 의문

- 단순 Dummy 자재와 Run 자재의 차이라고 생각하기엔 동일Model 인 타 장비보다 Back Side Helium 유량 과 Leak이 차이가 너무 크다는점

- 자재와 무관하게 Source Parameter를 통일했지만 자재 간 Response 차이가 나는점

- Chuck Force의 차이가 유력해 보입니다만, 문제의 Dummy 자재를 타 장비에서 진행한 경우는 Run 자재와의

   Response 의 차이가 크지 않습니다

위 배경을 우선 나열해 봤습니다..

Dummy 자재 기인한 문제라고 생각하기엔 장비상 Condition 차이가 만들어낸 문제로 계속 생각이 드는데

정확한 원인을 찾아내지 못했습니다.

다른 변수로 작용할 부분이 있는지, 제가 모르거나 이해못하는 부분에서 발생하는 차이점이 있는지 궁금합니다.