안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
223 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. 17190
222 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34920
221 질문 있습니다. [1] 18367
220 pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] 22606
219 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25579
218 플라즈마 진단법에 대하여 [1] 20542
217 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [1] 20257
216 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20885
215 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24827
214 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24528
213 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27205
212 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 41192
211 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23371
210 석영이 사용되는 이유? [1] 19999
209 surface wave plasma 에 대해서 [1] 18525
208 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23254
207 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] file 21098
» N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23718
205 질문이 몇가지 있읍니다. [1] 19189
204 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] 21324

Boards


XE Login