Sputtering [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching]
2011.12.07 17:12
안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.
궁금점에 대해 여쭈어 봅니다
일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.
PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.
일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.
Forword Power [%]
Reflect Power [W]
Bias(Vpp) Power
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] | 79459 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21313 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58112 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69672 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 94538 |
804 | RF에 대하여... | 32323 |
803 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 32229 |
802 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31767 |
801 | DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] | 31756 |
» | [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] | 31325 |
799 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30274 |
798 | 플라즈마 밀도 [Langmuir 탐침과 플라즈마의 밀도] | 30254 |
797 | PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] | 29905 |
796 | matching box에 관한 질문 [ICP Source 설계] [1] | 29802 |
795 | 플라즈마의 정의 | 29587 |
794 | 물질내에서 전하의 이동시간 | 29424 |
793 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] | 29225 |
792 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 [Ozone과 Plasma] | 29040 |
791 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [Mean free path] [1] | 28969 |
790 | Arcing [전하 축적에 의한 방전 개시] [1] | 28755 |
789 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 28642 |
788 | 반도체 관련 질문입니다. | 28609 |
787 | esc란? | 28181 |
786 | sheath와 debye sheilding에 관하여 [전자와 이온의 흐름] | 28083 |
785 | 탐침법 | 28029 |