안녕하세요.

먼저 다수의 인원에게 많은 정보를 확인 할 수 있는 플랫폼을 지끔까지 유지해주셔서 항상 감사하게 생각하고 있습니다.

질문을 하게되는 요는 Etch Mask layer를 Metal Oxide 계를 사용하고 있는데 식각하려는 물질이랑 Selectivity 가 크지 않은 상황입니다. Etch mask의 Lateral etching 이 너무 커서 공정 후반부로 갈수록 기대하는 Etch selectivity 보다 많이 낮게 나오는 현상이 있고 공정이 끝나면 Mask layer 가 남아 있지 않습니다.. 여러방면으로 고민을 하고 있는데 Lateral etching에 의한 Mask layer 소실이 가장 큰 문제 입니다.

따라서 Etch 공정관점에서 아래와 같은 고민을 하고 있는데요

1. ICP Dry etcher를 사용시에 아래 3단계를 분리해서 진행 하는게 좋을까요?

(1) Gas flow
(2) ICP(source) Power Turn on
(3) RF(bottom) power turn on 

(1) > (3) > (2) 식으로 공정 레시피를 짜서 진행하려 하는데 일반적일까요? 현재는 공정이 진행되면 동시에 진행을 하는데 여러가지 Risk가 걱정이 됩니다. 제안 해주실수 있는 순서가 있다면 조언 부탁드립니다.

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** 댓글 권한이 없어서 본문에 추가 말씀드립니다.

Etching 하려는 물질이 Si이 아니고 Metal, Metal alloy 쪽이라서 Passivation 공정이 적용이 어렵네요.. ㅠ

말씀주신대로 Cyclic 공정을 하고 있으나 공정 시간이 길고 Selectivity 가 높지 않은 Mask 물질을 적용 중이라 Selectivity 를 높이는 공정평가를 하는데 쉽지 않네요.
위 질문은 여러방면으로 고려하고 있는 와중 Plasma 안정성 측면에서 문의를 드린거였습니다.

초기 Plasma 방전시에 DC voltage가 높게뜨는 현상이 Gas flow나 Power source 를 조절하면 안정화 되지 않을까? 또는 Mask 물질에 attack을 주는요인을 감소 시킬 수 있지 않을까? 라는 고민에서 질문 드렸습니다.

조금 더 공부를 하고 고민을 해봐야겠는데 추가 조언이 가능하면 부탁드리겠습니다.