플라즈마 공부를 막 시작한 사회 초년생입니다
high votage를 가하면 충돌 단면적이 작아지고 mean free path가 커지는 이유가
궁금합니다.
이온화가 일어날 최대 확률(충돌 단면적)이 100ev에서 발생하는데
그 이상에선 감소하는데 그 이유를 알고싶습니다
댓글 1
-
관리자
2004.11.20 11:16
이 모두 속도와 관련이 있다고 볼 수 있습니다. high voltage나 에너지가 놓아질수록 속도가 높아집니다. 속도가 높아지면 hard sphere가 아닌 이상 polarization effect등으로 충돌 단면적이 작아지고(속도가 느리면 전단지 뿌리는 사람의 전단지를 받지만 속도가 빠르면 옆에 전단지 주는 사람을 그냥 지나치는 경우가 같다고 볼수 있겠네요) 충돌할 확률이 작아지니 더 멀리 가게 되서 mean free path가 커지게 됩니다. 이온화가 일어날 최대 확률도 높은 에너지를 가진 입자들이 속도가 높기 때문에 같은 이치로 감소하게 됩니다. 좀더 아시고 싶으시면 Michael A. Lieberman "Principles of plasma discharges and materials processing"의 앞쪽 부분을 참조하세요
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
783 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 12 |
782 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 30 |
781 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 35 |
780 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 39 |
779 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 50 |
778 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 55 |
777 | Microwave & RF Plasma [1] | 64 |
776 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 70 |
775 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 75 |
774 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 82 |
773 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 93 |
772 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 100 |
771 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 104 |
770 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 113 |
769 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 118 |
768 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 129 |
767 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 129 |
766 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 135 |
765 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 141 |
764 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 154 |