Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.

2019.04.11 13:18

PJH 조회 수:1145

안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3136
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 732
480 wafer bias [1] 1119
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1134
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 508
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1944
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1039
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1920
474 PEALD관련 질문 [1] 32597
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2115
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3385
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1063
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3914
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 426
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2306
» 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1145
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1338
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 949

Boards


XE Login