안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

 

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

 

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

 

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

 

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

 

 

 

Forword Power [%]

 

Reflect Power [W]

 

Bias(Vpp) Power

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [318] 83186
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22058
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58821
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70478
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96564
825 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 new 1
824 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 74
823 플라즈마 식각 커스핑 식각량 101
822 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 122
821 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 132
820 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [유전체 상태 모니터링] [1] 133
819 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 137
818 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 141
817 Druyvesteyn Distribution 142
816 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [RF 전원과 매칭] [1] 155
815 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 156
814 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 163
813 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 166
812 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 175
811 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 184
810 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 189
809 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 197
808 플라즈마 설비에 대한 질문 199
807 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 201
806 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 205

Boards


XE Login