Etch Dry Etching Uniformity 개선 방법
2016.03.02 17:46
안녕하세요? nano imprint 및 etching을 이용하여 패턴 가공을 하는 직장인 입니다.
Al 에칭 시 전체적인 Uniformity가 잘나오지 않습니다. 항상 한쪽으로(같은 방향) 쏠리어 에칭이 됩니다.
여러 조건들 SRC,Bias 파워,유량 조절, 압력 조절 등 조건 변경하여 해보았으나 마찬가지 형태로 진행이 됩니다.
Etcher 장비는 최대 8inch 까지 가능한 장비이며 에칭 가스는 Cl2, BCl3 사용 중입니다.
uniformity 개선 관련하여 어떠한 방법이 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [180] | 74896 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18754 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56231 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66719 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88083 |
| 714 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 142740 |
| 713 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134282 |
| 712 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 93918 |
| 711 | Plasma source type | 78099 |
| 710 | Silent Discharge | 64496 |
| 709 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 53591 |
| 708 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47063 |
| 707 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43300 |
| 706 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
 | 40709 |
| 705 | 대기압 플라즈마 | 40205 |
| 704 | RF frequency와 RF power 구분 | 38860 |
| 703 | Ground에 대하여 | 38495 |
| 702 | Self Bias | 36236 |
| 701 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35177 |
| 700 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34743 |
| 699 | PEALD관련 질문 [1] | 31881 |
장치 구조와 발생 방법등 해석에 고려할 바는 매우 많아 단순히 답을 하기 어렵습니다. 다만 장치가 갖고 있는 플라즈마 분포를 관찰해 볼 수가 있다면 (장비 제조 회사가 제공하는 자료 기반으로) 장치가 갖고 있는 태생적 문제 등을 판단해 볼 수 있겠고 (예를 들어서 VHF를 쓰고 있다면 standing wave 효과로 인한 (플라즈마 물리적 현상) 문제로 볼 수 있겠습니다.) 직관적으로는 gas flow 등의 shower head 의 구조 및 전극의 구조, 펌프의 위차, load lock에 의한 boundary 의 비대칭성, 전극의 열 분포, 및 바이어스 접지 등의 구조적 문제인지 판단할 수 있을 것입니다.
다음 부터는 실명을 사용해 주세요!