안녕하십니까

서울과학기술대학교에서 external DC voltage biasing을 이용한 여러 어플리케이션에 대해서 연구하고 있는 학생입니다.

먼저 플라즈마는 RF plasma이며 바이어싱을 걸어주기 위해 파워서플라이와 저항을 이용하여 회로를 구성하였고 바이어싱이 걸리는 기판은 일반적인 탐침이 아님 Planar한 Steel substrate입니다.

기판에 바이어싱이 걸리는지 확인하기 위해 Langmuir probe의 원리를 이용하여 기판에 도달하는 전류를 측정하려고 하는데 저희의 경우 Remote 플라즈마를 사용하고 있기 때문에 플라즈마로 기판이 직접 들어가는 것이 아니라 플라즈마 발생지점 수직선상으로 밑에 위치하게 됩니다.

이런 경우에도 Langmuir probe의 이상적인 I-V Characteristics가 나타나는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [112] 4896
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16232
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63749
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83521
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 359
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1273
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 816
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1220
474 PEALD관련 질문 [1] 19733
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 1150
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 2020
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 832
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 482
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 2743
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 307
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1447
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 961
» Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 925
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 738
463 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1400
462 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 1804
461 Wafer particle 성분 분석 [1] 1927
460 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 1189
459 charge effect에 대해 [2] 1154

Boards


XE Login