안녕하세요 교수님 , 저는 최근들어 반도체공정관련해서 공부중인 지나가던(?) 기계공학과 학생입니다 !

다름이 아니라 , 플라즈마 sheath에 대해 찾아보니까 약간 개념적으로 정확하게 잘 정립이 안되서 이곳저곳 찾다가 이곳을 알게되어

이렇게 질문을하게 되었습니다.

플라즈마 sheath는 제가 찾아본바에 의하면 , 전자는 양이온보다 속도가 빨라서 chamber벽 같은곳에 흡수가 잘되어서 결국 소실되는게 많아

상대적으로 양이온,중성자만 많게된 곳을 sheath라고 알고있습니다.  그런데 , sheath 층은 얇을수록 플라즈마 bulk( 플라즈마 sheath가 아닌영역)안에 있는 양이온이 이동하기가 쉬워서 결국 wafer를 양이온으로 dry etch하는게 더 쉽다는데,

1.왜 sheath층이 얇을수록 양이온이 더 이동하기 쉬운지 알고싶습니다.

2. 그리고 sheath층을 줄이려면 어떤방법들이 있을까요??   ex> (답은아니겠지만...) 가해주는 전압을 줄인다. 등등 간단한식으로 말씀해주셔도 전혀 상관없습니다 !! 

감사합니다 교수님 !!