안녕하세요 교수님

반도체 공정 장비엔지니어로 근무중인 엔지니어입니다.

게시판과 질문글 내용을 찾아보다 궁금한점을 해소할수 없어 게시판에 질문글을 올리게 되었습니다.

sputter장비 ICP power 인가와 관련된  특이점이 지속적으로 발생되어 확인중에 있습니다.

장비 구조

-. RF etch chamber

-. ICP power 2.1Mhz 375W (none matching) _ Chamber 상단에 ICP power

-. RF power 13.5hMhz 150W (RF matching) _ Process stage bias power

process sequence와 특이점은 다음과 같습니다.

1. Ar gas boost 200sccm

2. Ar gas input 80sccm

3. ICP power 375W & RF power 150W 동시 인가 : Striking plasma 과정에서 RF (Bias) matching 동작

4. Striking Plasma 정상 이후 process 진행됨

문제점 : 3번 항목에서 ICP power 인가시 간헐적인 reflect power 발생으로 Power on 인식 불가

간헐적이라 함은, 장비 가동후 40분~1시간 까지는 상기 reflect power 발생없이 진행되나

40분~1시간 이후부터는 50%확률로 reflect power가 발생되는 부분입니다.

제품 진행을 멈추고 1시간 정도 대기했다가 다시 장비 가동시 문제 현상이 반복되고 있습니다.

추측하기로는

1번. ICP power와 RF power가 동시 인가되나, ICP power의 matcher 부재로 인한 reflect power 제어 불가

: 원래 장비 concept은 RF power 인가 이후 ICP power인가되어야 하나, 장비 개조(with 장비 maker) 이후

동시 인가되는 방식으로 변경됨. 개조 이후 1년 경과시점부터 해당 문제 발생

2번. ICP chamber 상단의 냉각 능력 저하

 :  안테나 코일과 냉각 라인이 설치되어 있음. 정확한 냉각 라인내부 온도 측정 및 flow meter 확인이 어려움

이와 같은 상황에서 어떠한 방식으로 점검 point를 맞춰나갈지

조언을 부탁드리고자 글을 올리게 되었습니다.