안녕하세요.

반도체 관련 업종에 취직한 신입입니다.

현재 사내 플라즈마 테스트 장비에서의 매쳐 값을 검토 하는 중 막히는 부분이 있는 중

장비를 뜯어보기도 어렵고, 전임자는 이미 퇴사하여 혼자 이것저것 찾으며 하려니 도움 청할데가 마땅히 없어서 글 올립니다..


매쳐의 테스트 결과 데이터를 뜯어본 내용은 다음과 같습니다

 XC1 = (READ_AIO(RF_LOAD) + 0.00001) * 15 * 0.000000000001;
 XC2 = (READ_AIO(RF_TUNE) + 0.00001) * 5 * 0.000000000001;
 A = 3.141592 * 2 * 13560000;

 d1 = Power(50, 2);  제곱
 d2 = Power(1 / (A * XC1), 2);  제곱
 R = (50 * d2) / (d1 + d2);
 J = -(d1 * 1 / (A * XC1)) / (d1 + d2) + (A * 0.0000012) - (1 / (A * XC2));

결과는 대략  z=2.269+j56.126 정도 나옵니다.


얕은 지식으로는 XC1, XC2는 매쳐에서의 직, 병렬 가변 커패시터 값을,

A는 각속도 ω, J 에서 (A * 0.0000012) 값은 인덕터 값으로 보여집니다.


하지만 이외의 값들은 어떻게 저런 계산이 도출되었는지 이해가 되지 않습니다.

일반적인 L 타입 매쳐는 아닌 것으로 보여 상기 값으로 매쳐의 임피던스가 도출 되려면 어떤 회로로 구성되어있는지 알고 싶습니다.

도움 부탁 드립니다.


감사합니다.


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