안녕하세요.  석사과정생인 최하림입니다.

늘 좋은 답변남겨주셔서 감사드립니다.

마이크로 웨이브 플라즈마 방식으로 ion gun에서 수소 플라즈마를 생성시키고 process chamber까지 나오는 전하들을 이용하여 2d물질 표면에 수소를 흡착시키는 실험을 진행하고 있습니다.(샘플은 [Si/SiO2/2d박막] 이러한 구조입니다.) (ion gun에서 process chamber에 있는 샘플까지의 거리는 약 10cm정도입니다.)

그런데 2d물질 샘플을 ion gun과 마주보지 않은 상태로 샘플에 back gate voltage를 걸어주면 샘플 표면에 수소처리가 됩니다 ( back gate voltage는 +100V, -100V 둘다 걸어주었는데 두 경우 모두 수소가 흡착된 데이터를 얻었습니다.) 

참고로 마주보지 않은 상태로 back gate voltage를 걸어주지 않으면 샘플 표면에 수소처리가 되지 않습니다.

제가 생각하기로는 positive back gate voltage를 걸어주면 그 샘플 주변에 전기장이 형성되어 전자가 힘을 받아 주변의 중성가스인 H2와 충돌하여 이온화되어 샘플에 흡착된다거나, negative back gate voltage인 경우에는 +를 띄는 ion이  끌려온다고 밖에 예상하지 못했습니다


ion gun에서 나오는 전하들이 직진성을 가지고 있는 것은 알고 있지만. back gate voltage를 걸어줌으로써 그 전하들이 휘어서 샘플에 흡착되는 것이 가능한가요?  

process chamber에서 전하들의 움직임이나 electrical potential에 의한 전하들의 움직임에 관련된 논문이나 게시글이 있는지 여쭤봐도 될까요?



감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
524 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1196
523 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6397
522 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1144
» 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1232
520 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3860
519 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2179
518 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 17637
517 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1044
516 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3640
515 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 569
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10228
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 791
512 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 735
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 19769
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 836
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3627
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1025
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1211
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 537

Boards


XE Login