Etch Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance]
2020.06.12 10:42
안녕하십니까 RF Power 공급 업체에 다니고 있는 직장인 입니다.
한가지 궁금한 점이 있어서 질문 올립니다.
현재 장비사에서 다른 Power 업체에서 사용하던 것을 저희 업체로 변경 하여 사용했는데
공정 결과 ER이 20% 낮게 나왔다고 합니다.
공정 시 같은 Power, 같은 ICP설비 안테나로 진행 하였으며 RF Matcher와 RF Generator의 Maker만 바뀐 상황입니다.
이와 관련하여 혹시 Matcher가 ER을 낮게 할 수 있는 원인이 될 수 있는지 여부가 궁금합니다.
혹시 관련된 자료 있으면 링크좀 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
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RF 플라즈마라고 하기도 하는데, 이 개념은 조심스럽습니다. RF은 전원의 문제이고 플라즈마의 RF 특성은 단순 파동의 현상이 아닌 하전 입자의 거동을 기술하는 표현입니다. 물론 플라즈마를 이용해서 전자기 파가 만들어 집니다만, 이를 RF 플라즈마로 묶으면 정교한 공정 제어 필요한 플라즈마 제어가 어려워 집니다.
장황하게 서두를 꺼낸 이유는 현재 매처 개발에서 load는 dynamic impedance를 가지는 플라즈마 impedance와 cavity 및 안테나 구조가 지배하는 chamber impedance 로 구성되며 특히 plasma impedance는 active 한 특성도 갖습니다. 따라서 전원과 매처 개발은 이 동적이고 자발적으로 바뀌는 부하의 임피던스 특성에 잘 정합되어야 합니다. 즉, RF 주파수 변조, reflected power 감당 능력, 등등과 matcher와의 연결, Load/tune의 제어 알고리즘, 시간, feed 구조 등과 안테나 구조 및 장비 장착 위치 등에 결합이 잘 되어 있어야 합니다.
아마도, 기존 장비는 이점이 잘 tuning이 되어 있을 것이고, 이번 교체로 매처 동특성, 결합 특성 등이 좀 더 tuning이 되어야 할 것 같습니다. 이 점은 설비 관리 관점에서 해당 공정의 비틀림을 같이 고려해서 풀어 볼 수 있지 않을까 예상해 봅니다. PdM 기술로 발전 가능할 것 같고요.
매처 성능 평가에 다음 데이터를 얻어 보시면 좋을 것 같습니다. 일단 20% ER 저하가 반드시 20% 전달 전력을 의미하는 것은 아니므로, matcher 입력단 (전력부 쪽)과 출력단(안테나쪽)의 전압/전류/위상차를 관찰해 보시면 좀 더 장비 개발을 효율적으로 / 또한 레시피 개선방안을 찾는데 도움이 되지 않을까 합니다.