Process 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다
2020.09.05 00:10
안녕하세요
저는 직장인입니다
회사에서 OLED쪽 CVD 장비유지보수 업무를 하고있습니다
그동안 플라즈마 연구실에서 궁금한거 눈팅만 하다가 이번에는 없어서 직접 질문드립니다
보안에 위배될까봐 자세히는 적지 못 합니다 이해 부탁드립니다.
증착 중 부속 장비의 알람 발생으로 증착 중 RF Power 및 가스 Flow가 중단되어 증착이 중단됩니다
Alarm 발생 Glass를 살리기 위해 Glass 제전(전극과 Glass 간격을 벌려줌) 후 추가증착을 진행(추가증착시 전극에 Glass 안착 후)하는데
이 추가증착 진행 Glass에서 흰얼룩(뿌연얼룩/방사형얼룩)이 발생됩니다
이것을 해결 하기 위한 방법이 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] | 75772 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19457 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56674 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68038 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90329 |
754 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 143651 |
753 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134367 |
752 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 94839 |
751 | Plasma source type | 79114 |
750 | Silent Discharge | 64526 |
749 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54298 |
748 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47504 |
747 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43618 |
746 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41022 |
745 | 대기압 플라즈마 | 40456 |
744 | Ground에 대하여 | 38981 |
743 | RF frequency와 RF power 구분 | 38976 |
742 | Self Bias | 36318 |
741 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35542 |
740 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34823 |
739 | PEALD관련 질문 [1] | 32179 |
제 생각에는 얼룩은 플라즈마- 유발 공정입자의 확산이 시표 표면으로 너무 급하게 일어난다는 의미로 이해됩니다. 따라서 공간에 플라즈마 및 라디컬의 확산 시간을 유지하게 하고 표면에 반응 할 시간을 유지해 주는 방법을 찾아 보았으면 합니다. 특히 PECVD에서 압력이 높아서 균일하게 분포하는 시간이 걸릴 것으로 판단되는바, 이를 제어하려면 플라즈마 개시 조건에서 사용하는 전력 및 압력을 낮은 단계에서 순차적으로 증가시키는 조절 운전 방법을 생각해 볼 수 있겠습니다. 이는 최적화 조건을 PI 모니터링 하고 있으면 보다 능동적 제어가 가능할 것이나, 경험상으로도 어렵지 않게 조건을 찾을 수가 있을 것 같습니다. (확산과 반응시간 교합)
혹시 현장에서는 이와 관련된 시료 평가 자료가 확보되었을 수도 있겠으니, 압력/전력 조건 별로 얼룩이 크기를 면밀히 검토해 보시면서 공정 리시피를 개발해 보셔도 좋을 것 같습니다. 공정진단팀과 협업을 하실 수 있으면 훨씬 도움이 될 것 같군요.
제 이해 범위 내에서 말씀드렸습니다. 현업의 문제는 훨씬 더 복잡해서 이상과 같은 단편적인 의견을 그저 방향을 잡는데 쓰일 수 있다면 감사하겠습니다. 나중에 결과가 있으면 조용히 알려 주십시오.