안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1554
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 2416
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49517
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59725
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 75748
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 400
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 237
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 333
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 725
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 400
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 205
617 anode sheath 질문드립니다. [1] 253
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 295
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 213
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. [1] 481
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 438
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 229
611 LF Power에의한 Ion Bombardment [1] 487
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 494
609 전자 온도 구하기 [1] file 345
608 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 119
607 CVD 공정에서의 self bias [1] 517
606 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 2236
» 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 187
604 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1363

Boards


XE Login