안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어로 근무하고 있는 직장인입니다.

 

현재 공정이 완료된 텅스텐 재료에 대기압 플라즈마를 가하여 정전기 제거를 하고있습니다.

 

Ar gas를 이용하였으며 정전기 측정장비로 제거 되는 것 까지는 확인 되었습니다.

 

추가로 여쭤보고 싶은 부분이 정전기 제거 후에도 반영구적으로 정전기가 발생하지 않는 것도 확인이 되는데요.

 

이 부분에 대해서는 관련 자료를 찾아보아도 나오는 부분이 거의 없어서요.

 

O, N 라디칼들이 계면에서 어떠한 에너지 반응을 일으키는 건지. 텅스텐 표면에 어떤 결합에너지에 영향을 주는 것인지 궁금하네요.

 

플라즈마를 통하여 정전기 방지가 유지되는 것이 어떠한 Process로 진행될 수 있는지 궁금합니다.

 

고견 여쭙겠습니다. 감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5601
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16880
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51347
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64210
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84186
691 플라즈마 진단 OES 관련 질문 33
690 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 37
689 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 47
688 ESC DC 전극 Damping 저항 67
687 RF Sputtering Target Issue [1] file 114
686 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 118
685 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 122
684 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 125
683 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 130
682 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 142
681 Polymer Temp Etch [1] 147
680 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 148
679 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 150
678 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 152
677 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 165
676 plasma striation 관련 문의 [1] file 167
675 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 191
674 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 193
673 RPSC를 이용한 SiO, SiN Etch 관련 문의드립니다. [1] 194
672 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 203

Boards


XE Login