OES OES 분석 관련해서 질문드립니다.

2021.07.19 16:35

sunny 조회 수:349

Plasma etching 관련하여 공부를 하고 있는 학생입니다.

 

plasma를 분석하는 대표적인 방법 중 하나가 OES인데 저 역시도 분석장비를 여러번 사용하고 분석도 해보았습니다.

 

그런데 OES 분석 시 특정 peak의 intensity (height)을 통해 plasma 내 radical의 정성분석을 하게 되는데 왜 특정값만 사용하고 일정 공간의 넓이 (area)로 계산하지 않는지 잘 모르겠습니다.

 

관련 논문이나 책도 많이 찾아봤는데 "intensity를 분석했다." 라고만 나오고 왜 intensity를 분석했는지에 대해선 안나오더라구요.

 

개인적인 추측으로는 OES 분석이 각 원자나 분자가 relaxation되면서 방출되는 파장이 불연속적 값이라서지 않을까 생각되긴 하는데 이거만으로는 intensity로 분석하는 것에 대한 근거가 부족하다고 생각이 들었습니다. 

 

Intensity를 포함하는 일정 영역의 넓이를 계산하지 않고 특정 intensity 값을 통해 분석하는 명확한 이유를 알 수 있을까요?

 

참고할 수 있는 문헌이 있다면 알려주시면 자세히 읽어보도록 하겠습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1194
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 943
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49375
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59476
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 74180
637 RF 전압과 압력의 영향? 5
636 Plasma Cleaning 관련 문의 50
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 125
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 75
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 83
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 138
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 110
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 86
629 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 109
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 286
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 2228
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [2] 1468
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 339
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 270
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 235
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 203
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 271
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 577
» OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 349
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 170

Boards


XE Login